氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率：压电与自发极化效应

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhaojingda08

【摘要】

：

理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生（SHG）特性,结果发现共振SHG系数达到了10^-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现

【作者】

：

张立

【机构】

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广州番禺职业技术学院电子与机械系

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

密度矩阵方法氮化物耦合量子阱内建电场二次谐振波产生 density-matrix method nitride coupling quantum well

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理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生（SHG）特性,结果发现共振SHG系数达到了10^-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.

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