【摘 要】
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提出了一种应用于高功率微波组件的集成无源电容式高硅铝合金基芯片载体技术.首先,利用化学机械抛光、磁控溅射和阳极氧化技术,在高硅铝合金衬底上制备出基于Ta2 O5-Al2 O3混合介质层的薄膜电容,比容量测试结果约为7μF/mm2.然后,在薄膜电容制备工艺基础上,结合光刻、刻蚀和图形电镀等技术,在高硅铝合金圆片表面同时加工出薄膜电容、电源导线以及共晶焊接膜层等结构,从而完成一体化集成功率芯片载体制备.最后,开展了芯片载体在微波发射组件中的应用验证,发射功率测试结果为9.8 W(通道1#)/9.6 W(通道2
【机 构】
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上海航天电子通讯设备研究所, 上海 201109
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提出了一种应用于高功率微波组件的集成无源电容式高硅铝合金基芯片载体技术.首先,利用化学机械抛光、磁控溅射和阳极氧化技术,在高硅铝合金衬底上制备出基于Ta2 O5-Al2 O3混合介质层的薄膜电容,比容量测试结果约为7μF/mm2.然后,在薄膜电容制备工艺基础上,结合光刻、刻蚀和图形电镀等技术,在高硅铝合金圆片表面同时加工出薄膜电容、电源导线以及共晶焊接膜层等结构,从而完成一体化集成功率芯片载体制备.最后,开展了芯片载体在微波发射组件中的应用验证,发射功率测试结果为9.8 W(通道1#)/9.6 W(通道2#),杂散抑制测试结果为-76.24 dB(通道1#)/-75.09 dB(通道2#),均满足组件设计指标要求.
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