Hg1—xMnxTe晶体的生长及电学性能

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利用ACRT-VBM法生长Hg1-xMnxTe晶体,并对所得晶体作出宏观和微观质量评价,为改善晶体的电学性质,将生长态的晶体在低温下长时间退火。实现了晶片的反型,Hall电测量的结果表明位错的数量、分布及富Te相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响。
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