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采用常规电容器陶瓷制备工艺,借助正交设计实验法研究了在配方对中温烧结(1200℃)(Ba,Sr)TiO3(BST)基陶瓷介电性能的影响,得到了影响BST基陶瓷介电性能的主次因素以及各因素水平影响其性能的趋势,同时得到介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方,得到了综合性能最佳的适合单片电容器和独石电容器的中温烧结(1200℃)BST基陶瓷基方,它具有中介(ε≥2195)、低损耗(tanδ≤0.0155)和高耐压(大于4.5Mv/m).探讨了各组分对BST基陶瓷介电性能的影响机理,为研制中温烧结单片电容器和独