半导体二极管

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表n部分兀型发光二极管主要技术参数型号封装形式外形尺寸(mm)极限参数光电参数耗散功率 Pm(mw)正向电流 IF(n认)光强 Iv(mCd)峰值波长 几P(nm)光谱半宽值 乙孟(nm)FGI乡《X)3,笋5125501 .258535FG13〕汉)3甲声5125502 .058535F《;1夕众)1,声375302 .058535FG133《X)l7笋375302 Table n Part of the Wu-type light-emitting diode The main technical parameters Model Package Dimensions (mm) Limit parameters Photoelectric parameters Power Dissipation Pm (mw) Forward current IF (n recognize) Light intensity Iv (mCd) peak wavelength of a few P Spectral half-width values ​​B Meng (nm) FGI Township “X) 3, shoot 5125501 .258535FG13] Han) 3 A sound 5125502 .058535F” 1 Xi public) 1, sound 375302 .058535FG133 "X) l7 bamboo shoots 375302
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