激光分解4H-SiC制备石墨烯层的晶面取向影响研究

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：w354026268

【摘要】

：

采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度、脉冲数及晶面取向对石墨烯质量的影响。当激光能量密度为1.06 J/cm 2,脉冲数为8000时,4H-SiC样品极性Si(0001)面和非极性a(11?20)面上生长的石墨烯质量均达到最好。石墨烯与4H-SiC衬底极性Si(0001)面之间存在缓冲层,为石墨烯的生长提供了模板,得到的石墨烯更为有序,缺陷态更少;而非极性a(11?20)面上生成的石墨烯与衬底之间未生成缓冲层,生长

【作者】

：

孙正阳季凌飞林真源张彤许园波张犁天

【机构】

：

北京工业大学材料与制造学部激光工程研究院,北京100124跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室,北京100124

【出处】

：

中国激光

【发表日期】

：

2020年47期

【关键词】

：

材料石墨烯 4H-SiC 激光辐照晶面指数 materials graphene 4H-SiC laser irradiation indices of l

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