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采用分立漂移模型,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴和偶极电场畴的形成和输运.随着超晶格两端接触层掺杂浓度和阱中掺杂浓度的不同,可以得到单极畴、偶极畴以及单极畴与偶极畴共存.
超晶格中电场单极畴与偶极畴的形成和输运
【摘 要】
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采用分立漂移模型,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴和偶极电场畴的形成和输运.随着超晶格两端接触层掺杂浓度和阱中掺杂浓度的不同,可以得到单极畴、偶极畴以及
【机 构】
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北京师范大学物理系
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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教育部高校骨干教师资助计划;
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