【摘 要】
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高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点.
High-speed ECL 256 words × 1 bit RAM is based on improved design and the use of bleached shots, double metal wiring, etc. The typical address acquisition time is 12 ns and the read and write cycle is 22 ns , 500 milliwatts of power dissipation, high reliability, the device can work at ambient temperature -55- + 150 ℃ and supply voltage -3.5--7.0 V. This article describes the circuit and layout design and manufacturing processes Features.
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