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用低颅内耗及ＤＳＣ方法研究了反－４－丁基环己基甲酸－（４－丙基）环己基苯酚酯液晶的相变，通过比较低频内耗与ＤＳＣ的激活能。证实了液晶相变内耗峰的存在，论证了相变内耗峰的产生机制。
液晶苯酚酯相变的研究
【摘 要】
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用低颅内耗及ＤＳＣ方法研究了反－４－丁基环己基甲酸－（４－丙基）环己基苯酚酯液晶的相变，通过比较低频内耗与ＤＳＣ的激活能。证实了液晶相变内耗峰的存在，论证了相变内耗峰的产生机制。
【机 构】
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中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室,中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实
【出 处】
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材料研究学报
【发表日期】
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1999年4期
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