【摘 要】
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韩国科学和技术研究院近期发布了首款绝缘体上InGaAs晶体管,具有氧化钇埋层。研究者们认为,InGaAs-OI极有可能替代更为复杂的三栅器件。由于具有较高的介电常数(16),相比氧化
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韩国科学和技术研究院近期发布了首款绝缘体上InGaAs晶体管,具有氧化钇埋层。研究者们认为,InGaAs-OI极有可能替代更为复杂的三栅器件。由于具有较高的介电常数(16),相比氧化铝(9-12),采用Y2O3能够降低等效氧化层厚度,进而将栅向沟道移近,以改善静电控制。从磷化铟生长衬底到有Y2O3掩埋层的硅进行层转移,从而制成简单的金
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