CVT法生长GaP多晶

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangruidao11
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阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.
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