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实验采用射频（RF）磁控溅射法在高射频功率（550W）下制备了Zn0.9Lo0.1O薄膜，探讨了薄膜的光学性能，并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明，高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小，表面平整致密，在可见光波长范围内，透过率达80％。该薄膜的光学带隙约3．29eV，明显低于低功率溅射的薄膜（3．44eV）。其室温光致发光（PL）谱结果显示，最强峰是由Li杂质能级引起的399nm峰，热处理后，370nm的带间发光峰增强，而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。