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利用2MeV电子辐照氮化镓（GaN）异质结,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。电子背散射衍射（EBSD）菊池图的图像质量IQ值随辐照剂量的增加而增大,对应的表层应变或畸变减小。扫描电镜能谱（SEM/EDS）分析发现氧原子在外延层心部发生富集,表明高能电子辐照在GaN外延层内引入晶格损伤。表层应变状态的改变与杂质扩散和辐照点缺陷的引入直接相关,其中晶格损伤是影响表面应变状态的主要因素。