【摘 要】
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以MgO–Al2O3–CeO2复合体系为烧结助剂,采用放电等离子烧结工艺制备氮化硅陶瓷。研究了MgO–Al2O3–CeO2含量、烧结温度对氮化硅陶瓷显微结构及力学性能的影响;探讨了复合烧
【机 构】
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景德镇陶瓷学院; 清华大学材料学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目(51232004)资助
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以MgO–Al2O3–CeO2复合体系为烧结助剂,采用放电等离子烧结工艺制备氮化硅陶瓷。研究了MgO–Al2O3–CeO2含量、烧结温度对氮化硅陶瓷显微结构及力学性能的影响;探讨了复合烧结助剂作用下氮化硅陶瓷的烧结机理。结果表明:当混合粉体中Si3N4、MgO、Al2O3和CeO2的质量比为91:3:3:3、烧结温度为1600℃时,氮化硅烧结体相对密度（99.70%）、硬度（18.84GPa）和断裂韧性（8.82MPa?m1/2）达最大值,晶粒以长柱状的β相为主,α-Si3N4→β-Si3N4相转变率达93%;当混合粉体中Si3N4、MgO、Al2O3和CeO2的质量比为88:4:4:4、烧结温度为1600℃时,烧结体抗弯强度（1086MPa）达到最大值。
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