索尼研发出新型半导体

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据《中国电子报》2008年8月28日报道,索尼近日宣布已经研发出高功率、短波长的红光半导体激光二极管阵列,作为投影器件的理想光源。索尼这一新开发的激光二极管阵列,实现了振幅波长635nm,产生的亮度水平是传统红光半导体激光的1.6倍。索尼研发出新型半导体@刘广荣 According to “China Electronics News” reported on August 28, 2008, Sony recently announced that it has developed a high-power, short-wavelength red semiconductor laser diode array as the ideal light source for projection devices. Sony, the newly developed laser diode array, achieves an amplitude of 635 nm and produces 1.6 times the brightness of traditional red semiconductor lasers. Sony developed a new type of semiconductor @ Liu Guangrong
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