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射频晶体管具有高的特征频率fT，高的功率增益Gp为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区。尽可能减少基极电阻Rbb，同时采用梳状结构电极，浅结扩散，小的结面积等工艺，提高厂，从而双方面提高功率增益Gp。文章以该公司生产的射频晶体管3DG2714为例，分析了发射结下基区部分电流流动状态，合理计算了这部分的基极电阻Rb1,分析了发射极与基极之间淡硼扩散区的电流流动状态，合理计算了这部分的基极电阻Rb2，忽略了两个影响极小的电阻，计算了总的基极电阻Rbb。为减小基极电阻提高功率增益的射频晶体管设计制造提供了依据。