论文部分内容阅读
氮化铝（AlN）是一种重要的宽带隙（6．2eV）半导体材料，在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景。物理气相传输法（PVT）是制备AlN体单晶最有效的途径之一，目前，美国CrystalIS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位，可以制备出直径为2inch（5．08cm）的体单晶。为了获得大尺寸、高质量的AlN晶体，需要不断寻找合适的籽晶材料。从最早的SiC籽晶，发展到近年来的AlN籽晶、SiC／AlN复合籽晶，加上不断改进的PVT工艺条件，少数