一个采用单管FET单元的8K随机取数存储片

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本文介绍一个8192单元、P 沟道、有全部功能的随机取数存储器(RAM)的设计,生产与测试。这里将讨论这种器件的一些新的性能。这些性能是;有反型层电容的单管单元;采用高速缓冲装置使得最快地传送数据。采用独特的字线系统的线路设计以获得最小的单元间距。也讨论了操作性能、功率和成品率。 This article describes the design, manufacturing, and testing of an 8192-cell, P-channel, random access memory with full functionality. Here are some of the new features of this device. These properties are: Single-layer cells with inverted layer capacitance; use of caching devices to get the fastest data transfer. Unique word line system designed for minimum cell spacing. Also discusses operating performance, power and yield.
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