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用金属有机物气相外延设备，在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜，并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试，确定该薄膜为单晶，其中In组分可以从0增加到0.26；在光致激发下发光光谱为单峰，且峰值波长在360～550nm范围内可调；其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合；并具有很高的电子浓度。但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差。