Si衬底电沉积制备ZnO及其特性研究

来源 :安徽大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lwzeta
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采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜.实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的结构和光学性质有着重要的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明ZnCl2浓度较低时,ZnO的特征峰被衬底Si的衍射峰掩盖而较弱,当ZnCl2浓度为0.05mol/L时ZnO的特征峰非常明显.随着ZnCl2浓度的减小,薄膜的光致发光的发射谱变好,当ZnCl2溶液浓度为0.01mol/L时光学性能最好,此时出现两个峰,分别对应紫峰和绿峰.同时研究了沉积时间和退火对薄膜
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