【摘 要】
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为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,
【机 构】
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中车株洲所电气技术与材料工程研究院;
【基金项目】
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国家重点研发计划项目（2017YFB1200902）
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为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。
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