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以通用的陶瓷工艺合成Ba0.7Sr0．3TiO3基电容器陶瓷。通过实验研究MgO掺杂量对材料岛、tan δ和容量温度变化率等性能的影响，探讨了MgO的掺杂改性机理。结果表明：MgO具有减小介电常数温度变化率，降低陶瓷气孔率，细化陶瓷晶粒尺寸的作用。当MgO的质量分数为0．20％时，陶瓷的εr达最大值4528；质量分数为1．00％时，得到岛为4090，tan δ为0．0043，介电常数温度变化率为21．1％的Y5V瓷料。