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首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Factor).同时用Monte-Carlo粒子输运方法计算了实验条件下Al/Au/Si、Au/Al/Si结构界面过渡区剂量分布,理论模拟与实验验证,符合较好.