论文部分内容阅读
直拉硅单晶中空洞的大小和数目对其性能有着至关重要的影响．采用已有的与晶体生长温度场有限元模型相耦合的空洞演化相场模型及其应用程序，模拟研究了不同的平均径向扩散通量对直拉单晶硅生长过程中空洞形貌及其分布状态演化的影响规律．结果表明：平均空位径向扩散通量的变化对于空洞演变阶段性及其形貌特征影响不大；随着平均空位径向扩散通量的增加，空洞的孕育阶段缩短，形核长大阶段延长，空洞平均尺寸及分数增加．