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随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟，人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6．2eV，可覆盖短至210nm的深紫外波长范围，具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点，因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前，高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高，所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题，因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展，总结