【摘 要】
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利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化
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利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.在拉曼光谱中可以看到典型的G,D和C=N键的峰.当偏压为250 V时,薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失,此时薄膜的N/C比达到了0.81.通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C-C,sp2CN和sp3CN键的组分也发生了明显的变化.当偏压为250 V时薄膜的sp3CN相的含量达到了最大值为40%,同时氮含量也达到了最大值.实验
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