18GHz 600mw GaAs MESFET

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本文介绍了DX621型GaAsMESFET的设计与制作。该器件成功地采用了密集型源区正面通孔电镀热沉结构,同时采用了N~+N~-N特殊杂质浓度分布的汽相GaAs外延材料。该器件在18GHz下,1dB压缩输出功率大于600mW,1dB压缩功率增益为7dB,漏极效率大于30%。
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