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对Hefner的IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析.由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管，因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流.而MOSFET的静态线性区和饱和区的特性也用于表示阳极电压.并用MATLAB实现I-V特性.
IGBT的静态特性的模拟
【摘 要】
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对Hefner的IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析.由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管，因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流.而MOSFET的静态线性区和饱和区的特性也用于
【机 构】
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湖北工学院电气工程与计算机科学系
【出 处】
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湖北工学院学报
【发表日期】
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2001年1期
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