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研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响．通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品．其中一组采用了均匀掺杂的单层结构，Be掺杂浓度为1×10^19cm^-3；另一组采用了变掺杂的多层结构，从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×10^19，7×10^18，4×10^18和1×10^18cm^-3．负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和。激活得到．在线光谱响应测试曲线表明，多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be