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用羟基硅烷的本体聚合方法合成了聚钛硅氧烷,并用FTIR和TGA对聚钛硅氧烷中Si-O-Ti的生成规律以及Si-O-Ti键和热性能的关系进行了研究。结果表明随Si-O-Ti键含量的增加,在400℃时聚钛硅氧烷的残炭率增加。
聚钛硅氧烷的合成与表征
【摘 要】
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用羟基硅烷的本体聚合方法合成了聚钛硅氧烷,并用FTIR和TGA对聚钛硅氧烷中Si-O-Ti的生成规律以及Si-O-Ti键和热性能的关系进行了研究。结果表明随Si-O-Ti键含量的增加,在400
【机 构】
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北京化工大学碳纤维与功能高分子教育部重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2013年S2期
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