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研究了HDP-CVD PSG薄膜在栅极周围类似“花朵”状的磷含量分布的机理.实验结果表明,“花朵”状的磷含量分布是HDP-CVD反应腔中Bias RF将栅极间隙顶部的氧化物轰击溅射到间隙底部,掉落在间隙底部拐角处的氧化物再淀积的PSG薄膜中磷含量比其他区域低而形成的.这种“花朵”状的磷含量分布沿着栅极两边间隙底部拐角往上生长,是HDP-CVD PSG薄膜所特有的,它的形成与底部材料以及图形疏密分布无关.