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基于0．35μm CMOS工艺，研究了辐射条件下，单粒子瞬态效应对差分放大器的影响。经过仿真分析发现：差分放大器中偏置电路输出节点对单粒子瞬态效应敏感，偏置电路输出电流大小决定了放大器输出信号抗单粒子瞬态效应的能力。为提高差分放大器的抗单粒子瞬态效应的能力，采取增加偏置电路输出驱动能力以及引入电阻／电容等加固设计技术。经过Hspice仿真及单粒子辐照实验证明，辐射加固后的放大器抗单粒子瞬态扰动能力从未加固的18MeV·cm^2／mg增加到37MeV·cm^2／mg，抗单粒子辐射性能提高