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英飞凌最近宣布推出全新的PTFB系列LDMOS晶体管,可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品,新型晶体管的单管输出功率高达300W,完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。