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采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体的体产生寿命和表面产生速度的方法。
两次线性电压扫描法测量半导体的产生参数
【摘 要】
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采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体
【机 构】
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杭州大学电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1994年4期
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