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利用恒电位电沉积技术实现在ITO导电玻璃上沉积ZnS薄膜，用X射线粉末衍射、扫描电镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱对制得的薄膜进行了研究．实验表明，用该方法制得的薄膜样品的主要成分是α-ZnS，薄膜表面均匀、致密和平整，平均粗糙度为3．112nm，颗粒的粒径大约为50—100nm．该薄膜中Zn原子和S原子化合价分别为＋2价和-2价，原子个数比接近于1：1，没有探测到单质元素（Zn或S）沉积．