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采用SOL-GEL方法分别在Si和含有SiO2的衬底上制备出PZT铁电薄膜,并获得了MFS和MFOS结构。利用MOS结构常用的C-V特性分析方法,对MFS和MFOS结构进行了高频C-V特性测试分析,研究了F/(O)S的界面特性,结果表明,金属/PZT/SiO2/Si的MFOS结构具有较低的界面态,可实现极化存储,并可望制成铁电场效应晶体管。