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分析了用金属有物气相外延方法（MOVPE）在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮（InGaN)的光致发光（PL）性质。发现在4．7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式，同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。