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提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的DFB激光器，报道了器件的制作过程和主要性能，初步结果为：阈值电流38mA，激光器在100mA下出光功率4．5mw左右，调制器消光比约9dB(从+0．5V到-3．0V)．对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果(出光功率仅1．5mW)，我们制作的器件的出光功率有了明显的提高。