【摘 要】
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本文阐述了电解液-半导体接触模型,并对HCI溶液与n型InP的势垒特性进行了测量,根据电解液-半导体接触形成肖特基势垒,将电解腐蚀与C-V测试相结合设计了一台C-V半自动测试仪,
【机 构】
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南京邮电学院基础课部,南京邮电学院基础课部,
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本文阐述了电解液-半导体接触模型,并对HCI溶液与n型InP的势垒特性进行了测量,根据电解液-半导体接触形成肖特基势垒,将电解腐蚀与C-V测试相结合设计了一台C-V半自动测试仪,它由电化学室、电容仪、恒电位仪等组成,并由单板机控制。
In this paper, the electrolyte-semiconductor contact model is described, and the barrier characteristics of HCI solution and n-type InP are measured. The Schottky barrier is formed according to the electrolyte-semiconductor contact, and the combination of electrolytic corrosion and CV test is designed Taiwan CV semi-automatic tester, which consists of electrochemical room, capacitance meter, potentiostat and other components, and by the single-board machine control.
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