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Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量
Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量
来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mikecxybb
【摘 要】
:
利用掠入射X射线反常散射/衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量,结果显示,在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点
【作 者】
:
何庆
贾全杰
姜晓明
【机 构】
:
中国科学院高能物理研究所
【出 处】
:
核技术
【发表日期】
:
2004年6期
【关键词】
:
组分
量子点
掠入射X射线反常衍射
Composition
Quantum dots
Grazing incident X-ray anomalous sc
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利用掠入射X射线反常散射/衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量,结果显示,在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点的组分及其分布特征是几乎相同的.
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