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基于绝缘体上硅技术，提出并研制动态阈值nMOSFETs结构．阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理．动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0V时的580mV动态变化到VBS=0．6V时的220mV，但是这种优势并没有以增加漏电流为代价．因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下，更具有优势．工作电压为0．6V时，动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25．5倍，0．7V时为12倍．而且浮体nMOSFETs中的浮体效应，诸如Kink效应，反常亚阈值斜率和击穿电压降