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用分子束外延在Si（100）衬底上生长出CdTc。可以得到两种取向:当CdTe直接沉积在Si（100）衬底上时,所得到的取向为（100）B CdTe;当首先生长ZnTe中间层时,所得到的取向为（100）CdTe。（111）B取向层由旋转90°的两个畴组成,仅具有一个畴的取向层能够在取向偏差8°的Si（100）上生长。为达此目地,还需要发现其最佳取向偏差。用反射高能电子衍射,光致发光光谱,扫描电子显微镜和x射线研究了这些取向层的特性。利用分子束外延技术,在（111）B CdTe层上还生长