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针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH设计了两套瞬态实验方法，开发了相配套的软件和硬件，并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验，成功地获得了所需要的数据，该MCU在剂量率为1E11 rad（Si）／s的瞬态辐照环境下工作正常。同时也证明了两套测试系统的可靠性。
一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析
【摘 要】
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针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH设计了两套瞬态实验方法，开发了相配套的软件和硬件，并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验，成功地获得了所需要的数
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,西北核技术研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2008年4期
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