【摘 要】
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本章将描述用单层多晶硅或双层多晶硅,低阻多层互连及2微米工艺技术制造的256k×1动态RAM,也将讨论容错技术,半字节模式和超前于RAS的CAS刷新选择。
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本章将描述用单层多晶硅或双层多晶硅,低阻多层互连及2微米工艺技术制造的256k×1动态RAM,也将讨论容错技术,半字节模式和超前于RAS的CAS刷新选择。
This chapter will describe 256k x 1 dynamic RAM made with single-layer polysilicon or dual-layer polysilicon, low-resistance multi-layer interconnects, and 2 micron process technology. Fault tolerance techniques, nibble patterns, and CAS refresh options ahead of RAS will also be discussed.
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