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对用快速热合金方法(RTP)形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au-n型GaAs欧姆接触进行了对比研究。实验结果表明,在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下,Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度-时间”窗口的接触电阻率。合金后,Auger能谱分析表明,Ge/Au/Ni/Au金属系统扩散进GaAs体内的净施主Ge浓度较高,因而接触电阻率较低。两种欧姆接触金属系统经高温存贮一定时间后,发现其接触电阻率都有所降低。