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本文介绍了一种新型高速调制半导体激光器的设计思想，理论依据及实验结果。在掩埋新月型激光器的基础上，，对如何增加其调制带宽进行了深入研究，探讨了影响激光器调制带宽的主要因素，综合分析了减小器件分布电容和增加输出功率之间的矛盾和解决的方法，据此设计并研制出高速调制１．３μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多层限制掩埋新型激光器，器件的３ｄＢ调制带宽大于３ＧＨｚ。