硅材料的太赫兹波频域特性分析

来源 :中国计量学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:longfei256
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对不同电阻率的N型硅材料(电阻率从5~100Ω·cm)在太赫兹波波段的折射率、消光系数和吸收系数等特性参数,利用返波振荡器(BWO)太赫兹波系统进行了测试、计算和分析,得到N型硅在0.23THz到0.375THz频段范围内的光学特性.表明在这一波段N型硅的太赫兹波吸收系数随着电阻率的增加而减小,吸收系数最小值可达到3.39×10^-4cm^-1.分析表明,它将是潜在的太赫兹波波导的最佳候选材料.
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