【摘 要】
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基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图（PS）薄膜。该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术（SEM），X射线衍射（XRD）以及原子力显微技术（AFM）描述。采用大约3．5V／g
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基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图（PS）薄膜。该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术（SEM），X射线衍射（XRD）以及原子力显微技术（AFM）描述。采用大约3．5V／gm的低通场在电流强度为0．1μA／cm^2处获得有效场致发射。在约12．5V／gm的叠加场下，PS薄膜的发射电流密度达到1mA／cm^2。实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能。
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