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二极管作为最基本的器件，在电子电路中的应用非常广泛。而随着IGBT和MOS管等器件的发展，对二极管的方向恢复性能的要求越来越高。本文介绍了提高快恢复二极管恢复特性的两种主流技术的发展，即载流子寿命控制技术和发射极效率控制技术。并通过仿真对阳极发射效率控制技术进行了验证，最后对SiC材料的二极管进行了介绍和展望。