【摘 要】
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美刊《IEEE EDL》1990年11月报道了毫米波双量子阱膺配MODFET器件的最新进展.近年来研究证实,膺配MODFET器件适宜于毫米波应用.它需要栅长非常短的(≤0.1μm)T形栅.而大部分G
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美刊《IEEE EDL》1990年11月报道了毫米波双量子阱膺配MODFET器件的最新进展.近年来研究证实,膺配MODFET器件适宜于毫米波应用.它需要栅长非常短的(≤0.1μm)T形栅.而大部分GaAs工厂电子束系统栅图形尺寸为0.25μm,故限制了商业上的应用.
Recent developments in the millimeter-wave double-quantum-well-n-type MODFET devices reported by the IEEE EDL in November 1990 have demonstrated that MODFET devices are suitable for millimeter-wave applications and require very short gate lengths (≤0.1 μm) T-grid, while most GaAs fab electron grids have a gate pattern size of 0.25 μm, which limits commercial applications.
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